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第831章 芯片進(jìn)展3（第1頁）

第831章芯片進(jìn)展3

“第一，納米片晶體管（GAAFET）的刻蝕控制。

我們對納米片疊層的精度、柵極環(huán)繞的控制，極其不穩(wěn)定，這是良率波動的主要來源之一。”

“第二，高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）的堆疊精度和均勻性。

新材料的熱預(yù)算和界面態(tài)極其敏感，均勻性偏差導(dǎo)致閾值電壓（Vt）漂移嚴(yán)重?！?/p>

“第三，也是最致命的，”

他的語氣幾乎帶著一絲絕望。

“極紫外（EUV）光刻技術(shù)的應(yīng)用調(diào)試。

EUV光源的功率、穩(wěn)定性，以及配套的光刻膠、掩膜版技術(shù)，全部受到最嚴(yán)格的限制，獲取極其困難，調(diào)試進(jìn)度幾乎停滯。

沒有穩(wěn)定可靠的EUV光刻，很多關(guān)鍵的精細(xì)結(jié)構(gòu)無法實現(xiàn)，良率和性能都無從談起?！?/p>

他指著圖表上那個刺眼的數(shù)字：

“目前MPW試產(chǎn)的綜合良率。。。。。。仍然在25%-30%的區(qū)間劇烈波動，最低甚至探至18%。

而且，波動沒有收斂的趨勢。

姚總，這個良率，對于單顆成本就高達(dá)數(shù)十美元的高端旗艦芯片來說，是商業(yè)上無法接受的?！?/p>

會議室的溫度仿佛瞬間降到了冰點。

25%-30%且不穩(wěn)定的良率，意味著超過三分之二的芯片是廢品，這不僅是成本的災(zāi)難，更是量產(chǎn)交付的噩夢。

孟良凡的面色也無比凝重。

他雙手交叉支在桌上，身體前傾，沉聲道：

“N+1的困境，是基礎(chǔ)物理學(xué)、材料科學(xué)和精密工程極限的綜合體現(xiàn)。

這堵墻，靠工藝團(tuán)隊硬撞，代價太大，進(jìn)度也無法保證。”

他再次將目光投向陳默，這次帶著更深的期待和懇求。

“陳總，我們懇請開辟第二戰(zhàn)場。

設(shè)計端和工具鏈必須承擔(dān)更多責(zé)任。

現(xiàn)有的EDA工具，在應(yīng)對N+1這樣逼近物理極限的工藝時，已經(jīng)顯得力不從心，更別說再往后的N+2工藝了。

我們迫切需要工具鏈的再次革命?！?/p>

他語速加快，列舉出痛點：

“我們需要能進(jìn)行原子級器件建模的工具，能精確模擬摻雜原子分布對性能的影響；